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Hi All,

I've done spice simulation about current mirror. Please comment and tell me where's wrong, if you find.


http://home.kimo.com.tw/skychutw/Circui ... m_sim.html

skychu 寫:Hi All,

I've done spice simulation about current mirror. Please comment and tell me where's wrong, if you find.


http://home.kimo.com.tw/skychutw/Circui ... m_sim.html

It's really good!!Thank your share.
That is a good sample circuit for me when I design the current mirror circuit.

skychu 寫:Hi All,

I've done spice simulation about current mirror. Please comment and tell me where's wrong, if you find.


http://home.kimo.com.tw/skychutw/Circui ... m_sim.html

基本的電流鏡電路，
但由於Q1、Q2的Vcb差異極大，
造成Q1、Q2的有效基極寬度不同，
因基極寬度調變效應而使hfe差異很大，
所以Q1、Q2的電流差異頗大。







Q1、Q2加上射極電阻，
由於射極電阻上的壓降形成回授效應，
使Q1、Q2的電流差異變小。







電流鏡兩邊的電流，
一邊有Q1、Q2的基極電流，一邊沒有，
加上Q3使這個差異減小。
不要加R4的話，
電流鏡兩邊的電流誤差會更小。







Q3是共基極阻態，沒有電流放大作用。
R4使電流鏡兩邊的電流誤差變大。







著名的Wilson電流鏡，
Q1、Q2的Vcb差異小，
基極電流造成的差異也做修正。







令Q1、Q2的Vcb幾乎相等。







基本的MOSFET電流鏡，
電流差異是因Vds不同所造成。







加上串疊電路，減少Vds的差異。







Q1、Q2的Vbe變化並不一致，
因此Q1、Q2的Vbe互相抵補的效果並不好。







Q2為恆流源，
Q1為共基極阻態，
Q1的射極電流等於Q2的集極電流減去Isource。

David Lin 寫::clap:

Me too !

先鼓掌
後勉強

電晶體的Vcb越大，Vbe越小。




電晶體的Vcb越小，Vbe越大。


Vbe的差異造成電流鏡的誤差。